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中国光学无掩膜技术介绍-牡丹江纳滤膜,牡丹江反渗透膜, 牡丹江微滤膜

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纳滤膜

随着技术节点的不断缩小,掩膜版价格在芯片制造中的成本比重越来越不容小觑。以45nm掩膜版为例,其价格大约在600万美元上下,而一套22nm工艺的掩膜版成本预计在900到1440万美元。不断攀升的成本为研发带来了巨大的压力,也使得无掩膜光刻作为新兴的技术引起了人们的广泛关注。 牡丹江纳滤膜,牡丹江反渗透膜, 牡丹江微滤膜 

无掩膜光刻是一类不采用光刻掩膜版的光刻技术,即采用电子束直接在硅片上制作出需要的图形。采用电子束直接进行光刻的优点是分辨率高,甚至可超过光学光刻。但是就像每个硬币都具有两面一样,它的缺点也非常明显,即生产效率低、电子束之间的干扰易造成邻近效应。牡丹江纳滤膜,牡丹江反渗透膜, 牡丹江微滤膜 

电子束的汇聚点非常小,意味着单一电子束只能制作出很小的图形。对于一个芯片来说,必须通过多束电子束的同时平行作用才能实现光刻。但是电子束是具有电荷的,它们相互之间会发生干扰作用,导致曝光在芯片上的图形尺寸出现偏差。为了改善这一点,贝尔实验室推出了SCALPEL(散射角度限制的电子束投影光刻),即在电子束打在晶圆之前先经过一层由极薄的氧化硅膜和薄的高原子序数金属(如钨)膜组成的“掩膜版”。穿过氮化硅膜的电子基本上不散射,而穿过金属膜的电子散射严重。这些电子再经过磁透镜聚焦后穿过一个置于焦平面上的角度限制光阑,此时散射严重的电子透过率很低,而低散射的电子都能穿透过去。所有电子再通过一个磁透镜形成平行束,被投影在晶圆上。如何解决其空间电荷效应和晶圆表面热效应是研究SCALPEL的主要挑战。牡丹江纳滤膜,牡丹江反渗透膜, 牡丹江微滤膜 

目前,无掩膜光刻技术的两大研究方向为光学无掩模光刻(Optical Maskless Lithography,O-ML,图1)和带电粒子无掩膜光刻(Charged Particle Maskless Lithography,CP-ML,图2)。电子束校正、芯片上的像素验证和检查、与光刻工艺的兼容性、影响特征尺寸覆盖的重合误差等是这两类技术面临的共同课题。

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